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STP9N65M2

Name: STMicroelectronics STP9N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP9N65M2
Price: 368 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP9N65M2

メーカ番号：

STP9N65M2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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データシート:

STP9N65M2 データシート (PDF)

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在庫: 903

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価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥368	¥368
	¥235.2	¥2,352
	¥160	¥16,000
	¥133.4	¥66,700
	¥116.3	¥116,300
	¥115.5	¥231,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	900 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	10 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	60 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	18 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6.6 ns
シリーズ:	STP9N65M2
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	22.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7.5 ns
単位重量:	2 g

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選択した属性: 0

                        
ST NCNR & NON Warrantied

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5-1013-36

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データシート

STP9N65M2 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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