STPSC20G12WL

STMicroelectronics
511-STPSC20G12WL
STPSC20G12WL

メーカ:

詳細:
SIC SCHOTTKYダイオード 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

ECADモデル:
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在庫: 878

在庫:
878 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
25 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,732.8 ¥1,733
¥963.2 ¥9,632
¥942.4 ¥94,240
¥908.8 ¥545,280
¥884.8 ¥1,061,760
25,200 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
Through Hole
DO-247-2
Single
20 A
1.2 kV
1.35 V
180 A
10 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
ブランド: STMicroelectronics
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

標準製品

STMicroelectronics標準製品は、幅広い業界標準およびドロップイン交換製品で、最も人気の高い汎用アナログIC、ディスクリート、シリアルEEPROMを対象としています。標準製品は、最高の品質基準に従って製造されており、数多くの製品が車載アプリケーション向けにAECQ認定されています。SPICE、IBISモデル、シミュレーションツールを始めとする包括的な設計支援は、設計に簡単に追加できます。

STPSC20G12シリコンカーバイド・パワーショットキーダイオード

STMicroelectronics  STPSC20G12 炭化ケイ素パワーショットキーダイオードは、長いリード付きの DO-247 パッケージで提供されます。STMicroelectronics STPSC20G12は、炭化ケイ素基板を使用して製造されています。ワイドバンドギャップ素材によって、1,200V定格の低VFショットキーダイオード構造の設計が可能になります。ショットキー構造のおかげで、ターンオフでリカバリは表示されず、リンギングパターンはごく僅かです。最小限の容量ターンオフ動作は、温度の影響を受けません。