STW40N90K5

STMicroelectronics
511-STW40N90K5
STW40N90K5

メーカ:

詳細:
MOSFET N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

ECADモデル:
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在庫:
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工場リードタイム:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,232 ¥2,232
¥1,403.2 ¥14,032
¥1,401.6 ¥840,960
10,200 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
900 V
40 A
88 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
89 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 13.4 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 15.5 ns
シリーズ: STW40N90K5
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 84.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 30.4 ns
単位重量: 6 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SuperMESH™ 高電圧MOSFET

STマイクロエレクトロニクス ツェナー保護SuperMESH™パワーMOSFETは、標準ストリップベースPowerMESH™レイアウトの徹底した最適化を実現しました。STマイクロエレクトロニクス SuperMESH MOSFETは、最も要求の厳しいアプリケーションに対応する優秀なdv/dt性能を確保しつつ、 オン抵抗を大幅に低減しています。SuperMESHデバイスは、ゲート電荷を最小化し、100%アバランシェ試験済みであるほか、 改善されたESD性能と新しい高電圧ベンチマークも提供します。STマイクロエレクトロニクス MOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計されています。
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