STW57N65M5

STMicroelectronics
511-STW57N65M5
STW57N65M5

メーカ：

詳細：
MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
あなたの設計を完成させましょう

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
STMicroelectronics STW57N65M5の詳細を読む

在庫: 504

在庫：
504 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
18 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,612.8 ¥1,613
¥1,072 ¥10,720
¥868.8 ¥86,880
¥830.4 ¥498,240
¥801.6 ¥961,920

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
42 A
63 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
98 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: Mdmesh M5
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 6 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

NチャネルMDmesh™ VパワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、独自の革新的な垂直プロセスとSTマイクロエレクトロニクスの有名なPowerMESH™水平レイアウト構造を組み合わせた革命的パワーMOSFET技術、MDmesh™ Vを採用しています。STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、シリコンベースのパワーMOSFETでは類を見ない極めて低いオン抵抗を達成し、特に、優れた出力密度と卓越した効率を必要とするアプリケーションに適しています。
詳細

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。