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STW58N65DM2AG

Name: STMicroelectronics STW58N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW58N65DM2AG
Price: 2195 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STW58N65DM2AG

メーカ番号：

STW58N65DM2AG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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データシート:

STW58N65DM2AG データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	48 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	65 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	88 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	360 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	7.7 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	31 ns
シリーズ:	STW58N65DM2AG
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	157 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	28 ns
単位重量:	6 g

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データシート

STW58N65DM2AG データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low R_DS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.