STWA48N60M2

STMicroelectronics
511-STWA48N60M2
STWA48N60M2

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead
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データシート:
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在庫: 83

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,249.6 ¥1,250
¥881.6 ¥8,816
¥734.4 ¥73,440
¥611.2 ¥366,720

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
42 A
70 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
MDmesh
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 119 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 17 ns
シリーズ: STWA48N60M2
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 13 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 18.5 ns
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

データシート

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス MDmesh™ II パワーMOSFETは、業界最低レベルのオン抵抗とゲート電荷を達成するため、垂直構造をSTMのストリップレイアウトに関連付け、最も要求の厳しい高効率コンバータに対応させました。MDmesh™ II パワーMOSFETは、完全絶縁され、ピンからヒートシンク板までの沿面経路の長い薄型パッケージを使用しています。100%アバランシェ試験済みで、低い入力キャパシタンス、ゲート電荷、ゲート入力抵抗を特徴とします。
詳細

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