TSG65N190CR RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N190CRRVG
TSG65N190CR RVG

メーカ：

詳細：
GaN FET 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 2,993

在庫：
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工場リードタイム：
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2993を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥1,569.6 ¥1,570
¥1,081.6 ¥10,816
¥804.8 ¥80,480
¥720 ¥360,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥720 ¥2,160,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Taiwan Semiconductor
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-6
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
190 mOhms
- 7 V, + 7 V
2.6 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
ブランド: Taiwan Semiconductor
構成: Single
下降時間: 10 ns
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品タイプ: GaN FETs
上昇時間: 5 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
技術: Si
標準電源切断遅延時間: 8 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 5 ns
別の部品番号: TSG65N190CR
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選択した属性: 0

データシート

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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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