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CSD16340Q3

Name: Texas Instruments CSD16340Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16340Q3
Price: 273 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD16340Q3

メーカ番号：

CSD16340Q3

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET N Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD16340Q3T

データシート:

CSD16340Q3 データシート

ECADモデル:

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完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥273.8	¥274
	¥174.4	¥1,744
	¥115.9	¥11,590
	¥91.4	¥45,700
	¥83.5	¥83,500
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥76.6	¥191,500

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	VSON-CLIP-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	25 V
Id - 連続ドレイン電流:	60 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	4.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	600 mV
Qg - ゲート電荷:	6.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	3 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
組立国:	PH
拡散国:	TW
原産国:	TW
下降時間:	5.2 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	16.1 ns
シリーズ:	CSD16340Q3
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	13.8 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	4.8 ns
単位重量:	44.400 mg

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CSD16340Q3 NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments CSD16340Q3 NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion and is optimized for 5V gate drive applications. The TI CSD16340Q3 NexFET Power MOSFET is resistance rated at Vgs = 2.5V and also features ultra low Qg and Qgd. The TI CSD16340Q3 NexFET offers low thermal resistance and is also ideal for control or synchronous FET applications.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。