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CSD16342Q5A

Name: Texas Instruments CSD16342Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16342Q5A
Price: 264 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD16342Q5A

メーカ番号：

CSD16342Q5A

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET N-Channel NexFET Pow er MOSFET

データシート:

CSD16342Q5A データシート

ECADモデル:

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在庫: 4,743

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パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥264	¥264
	¥168	¥1,680
	¥69.8	¥6,980
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥65.9	¥164,750
	¥65.1	¥325,500
	¥63.8	¥1,595,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	VSONP-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	25 V
Id - 連続ドレイン電流:	60 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	600 mV
Qg - ゲート電荷:	6.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	3 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	CSD16342Q5A
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
単位重量:	85.100 mg

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

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