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CSD17579Q3A

Name: Texas Instruments CSD17579Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17579Q3A
Price: 116 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

595-CSD17579Q3A

メーカ番号：

CSD17579Q3A

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET CSD17579Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17579 A 595-CSD17579Q3AT

データシート:

CSD17579Q3A データシート

ECADモデル:

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パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥116.8	¥117
	¥71.8	¥718
	¥48.5	¥4,850
	¥37.8	¥18,900
	¥33.8	¥33,800
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥33.6	¥84,000
	¥29.9	¥149,500
	¥27.2	¥272,000
	¥26.4	¥660,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

CSD17579Q3AT

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥315

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD17579Q3AT

詳細：

MOSFET 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	VSONP-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	39 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	10.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.1 V
Qg - ゲート電荷:	15 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	29 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
開発キット:	TPS25741EVM-802, TPS25741AEVM-802
下降時間:	1 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	37 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5 ns
シリーズ:	CSD17579Q3A
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	11 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	2 ns
単位重量:	27.300 mg

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選択した属性: 0

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データシート

CSD17579Q3A データシート

Models

CSD17579Q3A Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。