CSD18536KCS

Texas Instruments
595-CSD18536KCS
CSD18536KCS

メーカ：

詳細：
MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

在庫: 546

在庫：
546
すぐに出荷可能
取寄中:
1,200
予想2026/04/27
2,050
予想2026/06/18
工場リードタイム：
6
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥836.8 ¥837
¥436.8 ¥4,368
¥435.2 ¥43,520
¥395.2 ¥197,600
¥356.8 ¥356,800

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
349 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
NexFET
Tube
ブランド: Texas Instruments
構成: Single
下降時間: 4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 312 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5 ns
シリーズ: CSD18536KCS
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 24 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 11 ns
単位重量: 2 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

Images

Models

SPICE Models

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。