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CSD18542KTT

Name: Texas Instruments CSD18542KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18542KTT
Price: 506 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD18542KTT

メーカ番号：

CSD18542KTT

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT

データシート:

CSD18542KTT データシート

ECADモデル:

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パッケージング:

完全リール（500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥506.9	¥507
	¥327.6	¥3,276
	¥223.3	¥22,330
完全リール（500の倍数で注文）
	¥179.3	¥89,650
	¥174.4	¥174,400

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

CSD18542KTTT

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥603

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD18542KTTT

詳細：

MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D2PAK-3 (TO-263-3)
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	200 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.5 V
Qg - ゲート電荷:	44 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	250 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
組立国:	CN
拡散国:	CN
原産国:	CN
下降時間:	2 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	198 S
水分感度:	Yes
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	4 ns
シリーズ:	CSD18542KTT
工場パックの数量:	500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	16 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	6 ns
単位重量:	2 g

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選択した属性: 0

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NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

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