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CSD19531Q5AT

Name: Texas Instruments CSD19531Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19531Q5AT
Price: 500 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD19531Q5AT

メーカ番号：

CSD19531Q5AT

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 100V 5.3mOhm NexFET Power MOSFET A 595-C A 595-CSD19531Q5A

データシート:

CSD19531Q5AT データシート

ECADモデル:

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パッケージング:

完全リール（250の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥500.8	¥501
	¥326.4	¥3,264
	¥190.4	¥19,040
完全リール（250の倍数で注文）
	¥190.4	¥47,600
	¥164.8	¥82,400
	¥159.7	¥159,700
	¥155.5	¥388,750

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

CSD19531Q5A

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥373

最低:

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メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD19531Q5A

詳細：

MOSFET 100V 5.3mOhm Pwr MOS FET A 595-CSD19531Q A 595-CSD19531Q5AT

現在のパーツと比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	VSONP-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	100 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	6.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.7 V
Qg - ゲート電荷:	37 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	3.3 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	5.2 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	82 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5.8 ns
シリーズ:	CSD19531Q5A
工場パックの数量:	250
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	18.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	6 ns
単位重量:	87.800 mg

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選択した属性: 0

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データシート

CSD19531Q5AT データシート

Models

CSD19531Q5AT Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。