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CSD19533KCS

Name: Texas Instruments CSD19533KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19533KCS
Price: 392 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD19533KCS

メーカ番号：

CSD19533KCS

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET

データシート:

CSD19533KCS データシート

ECADモデル:

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	¥196.8	¥1,968
	¥176	¥17,600
	¥141.8	¥70,900
	¥121.1	¥121,100
	¥114.7	¥573,500

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	100 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	10.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.8 V
Qg - ゲート電荷:	27 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	188 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	2 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	115 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5 ns
シリーズ:	CSD19533KCS
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	12 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7 ns
単位重量:	2 g

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選択した属性: 0

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データシート

CSD19533KCS データシート

Images

PCN

Qualification of GTBF as Additional Assembly/Test Site for Select Devices (PDF)

SPICE Models

CSD19533KCS PSpice Model (Rev. B)

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。