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CSD19534KCS

Name: Texas Instruments CSD19534KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19534KCS
Price: 323 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD19534KCS

メーカ番号：

CSD19534KCS

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET

データシート:

CSD19534KCS データシート

ECADモデル:

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在庫: 135

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数量	ユニット価格	合計額
	¥323.2	¥323
	¥157.1	¥1,571
	¥140.6	¥14,060
	¥111.7	¥55,850
	¥94.6	¥94,600
	¥92.6	¥231,500
	¥86.2	¥431,000
	¥86.1	¥861,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	100 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	16.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.4 V
Qg - ゲート電荷:	16.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	118 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	1 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	2 ns
シリーズ:	CSD19534KCS
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	9 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	6 ns
単位重量:	2 g

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選択した属性: 0

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Technical Resources

CSD19534KCS TINA-TI Reference Design

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JPHTS:: 854239099
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

NexFET™ パワーMOSFET

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