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CSD23202W10T

Name: Texas Instruments CSD23202W10T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23202W10T
Price: 248 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD23202W10T

メーカ番号：

CSD23202W10T

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10

データシート:

CSD23202W10T データシート

ECADモデル:

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在庫: 1,984

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EST関税:

パッケージング:

完全リール（250の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥248	¥248
	¥158.2	¥1,582
	¥74.4	¥7,440
完全リール（250の倍数で注文）
	¥74.4	¥18,600
	¥67	¥33,500
	¥60.3	¥60,300
	¥60.2	¥150,500

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

CSD23202W10

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥99

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD23202W10

詳細：

MOSFET 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T

現在のパーツと比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DSBGA-4
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	12 V
Id - 連続ドレイン電流:	2.2 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	92 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 6 V, 6 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	600 mV
Qg - ゲート電荷:	2.9 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	21 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	4 ns
シリーズ:	CSD23202W10
工場パックの数量:	250
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	58 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns
単位重量:	1 mg

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選択した属性: 0

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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