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CSD23381F4T

Name: Texas Instruments CSD23381F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23381F4T
Price: 206 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD23381F4T

メーカ番号：

CSD23381F4T

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4

データシート:

CSD23381F4T データシート

ECADモデル:

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在庫: 1,202

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パッケージング:

完全リール（250の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥206.4	¥206
	¥112.5	¥1,125
	¥77.1	¥7,710
完全リール（250の倍数で注文）
	¥77.1	¥19,275
	¥58.1	¥29,050
	¥52.2	¥52,200
	¥50.6	¥126,500
	¥48.2	¥241,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

CSD23381F4

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥51

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD23381F4

詳細：

MOSFET 12V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4T

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PICOSTAR-3
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	12 V
Id - 連続ドレイン電流:	2.3 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	970 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	950 mV
Qg - ゲート電荷:	1.14 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	500 mW
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	2 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	3.9 ns
シリーズ:	CSD23381F4
工場パックの数量:	250
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	18 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	4.5 ns
単位重量:	0.400 mg

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選択した属性: 0

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データシート

CSD23381F4T データシート

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Function Diagram

PCN

SPICE Models

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CNHTS:: 8541210000
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ECCN:: EAR99

FemtoFET パワーMOSFET

Texas Instruments FemtoFETパワーMOSFETは、超小型のフットプリント（0402ケースサイズ）で（他社製品よりも70%低い）極めて低い抵抗を達成します。これらのMOSFETには、超低Qg、Qgd仕様、最適化ESD定格が採用されています。ランドグリッドアレイ（LGA）パッケージにてご提供しています。このパッケージによりシリコン含有量が最大化されるため、スペースの限られた用途に最適となります。このパワーMOSFETは、低電力損失と低スイッチング損失を提供し、軽負荷性能を向上します。このデバイスの主な用途には、ハンドヘルド、モバイル、負荷スイッチ、汎用スイッチ、バッテリーなどがあります。
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