CSD75207W15

Texas Instruments
595-CSD75207W15
CSD75207W15

メーカ：

詳細：
MOSFET Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET

データシート:
ECADモデル:
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Texas Instruments CSD75207W15の詳細を読む

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥158.4 ¥158
¥98.7 ¥987
¥64.5 ¥6,450
¥49.8 ¥24,900
¥45 ¥45,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥38.9 ¥116,700
¥34.9 ¥209,400
¥34.4 ¥309,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-9
P-Channel
2 Channel
20 V
3.9 A
54 mOhms
- 8 V, 8 V
600 mV
2.9 nC
- 55 C
+ 150 C
700 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Texas Instruments
構成: Dual
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: PH
下降時間: 16 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 6.2 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 8.6 ns
シリーズ: CSD75207W15
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 2 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 32.1 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 12.8 ns
単位重量: 2.500 mg
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854121000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

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