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CSD85301Q2

Name: Texas Instruments CSD85301Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD85301Q2
Price: 136 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD85301Q2

メーカ番号：

CSD85301Q2

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T

データシート:

CSD85301Q2 データシート

ECADモデル:

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在庫: 4,610

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥136	¥136
	¥83.7	¥837
	¥54.6	¥5,460
	¥42.6	¥21,300
	¥37.8	¥37,800
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥29.4	¥88,200
	¥27	¥162,000
	¥23.5	¥211,500
	¥22.7	¥544,800

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

CSD85301Q2T

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥275

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD85301Q2T

詳細：

MOSFET Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	WSON-FET-6
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	8 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	27 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, 10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	600 mV
Qg - ゲート電荷:	5.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	2.3 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Dual
下降時間:	15 ns, 15 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	20 S, 20 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	26 ns, 26 ns
シリーズ:	CSD85301Q2
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	14 ns, 14 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	6 ns, 6 ns
単位重量:	9.700 mg

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選択した属性: 0

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。