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TPS25921LDR

Name: Texas Instruments TPS25921LDR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS25921LDR
Price: 224 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-TPS25921LDR

メーカ番号：

TPS25921LDR

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

ホットスワップ電圧コントローラ EFuse Mux OR A 595-T PS25921LD A 595-TPS A 595-TPS25921LD

データシート:

TPS25921LDR データシート

ECADモデル:

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在庫: 2,461

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パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥224.9	¥225
	¥164.6	¥1,646
	¥148.7	¥3,718
	¥131.7	¥13,170
	¥123.7	¥30,925
	¥118.8	¥59,400
	¥114.9	¥114,900
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥110.5	¥276,250
	¥107.9	¥539,500

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

TPS25921LD

梱包:

Tube

在庫状況:

在庫

価格:

¥264

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

TPS25921LD

詳細：

ホットスワップ電圧コントローラ 4.5V-18V eFuse A 595 -TPS25921LDR A 595- A 595-TPS25921LDR

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	ホットスワップ電圧コントローラ
RoHS:
製品:	Controllers & Switches
電流制限:	1.6 A
供給電圧 - 最大:	18 V
供給電圧 - 最小:	4.5 V
チャンネル数:	1 Channel
動作供給電流:	410 uA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-8
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
停電検出:	Yes
ブランド:	Texas Instruments
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	MX
製品タイプ:	Hot Swap Voltage Controllers
シリーズ:	TPS25921L
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
単位重量:	109.300 mg

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選択した属性: 0

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JPHTS:: 854239099
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
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MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TPS25921x eFuse、高精度電流制限付き

テキサス・インスツルメンツのeFuse（高精度電流制限付き）TPS25921xは、コンパクトで機能豊富な、保護機能一式を備えたeFuseです。動作電圧が幅広いため、一般的な多くのDCバスを制御できます。TPS25921xは精密な±2%の電流制限と室温で素晴らしい精度を発揮し、システム保護のさまざまな用途に最適です。負荷、ソース、デバイス保護は、過電流、過電圧、低電圧などの複数のプログラム可能な機能で提供されます。UVおよびOVに対する3%という精密な閾値でバス電圧を厳しく監視し、監視回路の必要性をなくします。フォールト・フラグ出力（FLT）は、システム・ステータスの監視と下流の負荷制御に対して提供されます。ホット・プラグイン基板には、流入電流の制御とプログラマブル出力のランプ速度を提供します。出力のランプ速度はソフト・スタート（SS）ピンにキャパシタを使用してプログラムでき、これにより最大限の設計の柔軟性を確保できます。
詳細

LM5060-Q1ハイサイド保護コントローラ

Texas Instruments LM5060-Q1ハイサイド保護コントローラには、低自己消費電流が備わっており、通常のON/OFF切替時および障害状態におけるハイサイドNチャンネルMOSFETのインテリジェント制御を実現しています。出力電圧のほぼ一定の立ち上がり時間は、突入電流制御の結果です。（ヒステリシスあり）入力UVLOおよびプログラマブル入力OVPの両方が実現されており、リモート・オンまたはオフ制御が可能なイネーブル入力が備わっています。初期スタートアップV_GS故障検出遅延時間、移行V_DS故障検出遅延時間、連続過電流V_DS故障検出遅延時間は、単一のコンデンサでプログラミングできます。MOSFETは、イネーブル入力またはUVLO入力が「低」にトグルされるまでラッチオフされ、許可された障害遅延時間より障害状態が長時間検出されると「高」になります。