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TPS28226DR

Name: Texas Instruments TPS28226DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS28226DR
Price: 222 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-TPS28226DR

メーカ番号：

TPS28226DR

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

ゲートドライバ Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226D

データシート:

TPS28226DR データシート

ECADモデル:

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在庫: 2,336

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パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥222.4	¥222
	¥182.4	¥1,824
	¥164.8	¥4,120
	¥147.4	¥14,740
	¥138.6	¥34,650
	¥133.1	¥66,550
	¥128.6	¥128,600
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥118.7	¥296,750
	¥117.3	¥879,750

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

TPS28226D

梱包:

Tube

在庫状況:

在庫

価格:

¥259

最低:

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メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

TPS28226D

詳細：

ゲートドライバ Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver

ライフサイクル:

製造中止: メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	MOSFET Gate Drivers
タイプ:	Half-Bridge
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-8
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	2 Output
出力電流:	4 A
供給電圧 - 最小:	6.8 V
供給電圧 - 最大:	8 V
上昇時間:	10 ns
下降時間:	5 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	TPS28226
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
特徴:	Synchronous Rectification
最長電源切断遅延時間:	14 ns
Pd - 電力損失:	1.25 W
製品タイプ:	Gate Drivers
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si
単位重量:	72.600 mg

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JPHTS:: 854239099
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CAHTS:: 8542390000
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MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.