TK11A45D(STA4,Q,M)

Toshiba
757-TK11A45DSTA4QM
TK11A45D(STA4,Q,M)

メーカ：

詳細：
MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 103

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥400 ¥400
¥190.4 ¥1,904
¥188.8 ¥18,880
¥137.1 ¥68,550
¥121.9 ¥121,900
¥119.7 ¥598,500
25,000 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
450 V
11 A
500 mOhms
- 30 V, 30 V
2 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
MOSVII
Tube
ブランド: Toshiba
構成: Single
下降時間: 10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 0.8 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 25 ns
シリーズ: TK11A45D
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 75 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 60 ns
単位重量: 2 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFET

Toshiba π-MOS VII MOSFETは、10VゲートドライブのシングルNチャンネルデバイスで、π-MOSテクノロジーとプレーナプロセスが組み合わされており、電圧とRDS(ON)定格の広い選択肢を実現しています。これらの高電圧MOSFETは、250V～最高650Vまでのドレイン-ソース間電圧範囲で販売されており、2A～20Aまでのドレイン電流範囲が備わっています。π-MOS VII MOSFETは、TO-220-3およびTO-252スルーホール・パッケージで販売されており、コンパクトなDPAK-3およびPWモールド-3表面実装パッケージに収められています。

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