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TK160F10N1L,LQ

Name: Toshiba TK160F10N1L,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK160F10N1LLQ
Price: 432 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

757-TK160F10N1LLQ

メーカ番号：

TK160F10N1L,LQ

メーカ：

Toshiba

詳細：

MOSFET U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET

データシート:

TK160F10N1L,LQ データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 18,984

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	¥432	¥432
	¥348.8	¥3,488
	¥254.4	¥25,440
	¥249.6	¥124,800
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥211.2	¥211,200
	¥203.2	¥1,016,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Toshiba
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-220SMW-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	160 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	122 nC
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	375 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
トレードネーム:	U-MOSVIII-H
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Toshiba
構成:	Single
下降時間:	40 ns
水分感度:	Yes
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	22 ns
シリーズ:	TK160F10N1L
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	140 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	42 ns
単位重量:	1.800 g

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選択した属性: 0

                        
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may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
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5-0320-2