TK16A60W,S4VX

Toshiba
757-TK16A60WS4VX
TK16A60W,S4VX

メーカ：

詳細：
MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥566.4 ¥566
¥262.4 ¥2,624
¥244.8 ¥24,480
¥209.6 ¥104,800
¥190.4 ¥190,400

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
N-Channel
1 Channel
DTMOSIV
Tube
ブランド: Toshiba
構成: Single
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: TK16A60W
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TK16x60W Si NチャンネルMOSFET (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si NチャンネルMOSFET（DTMOSIV）は、DTMOSIV世代のチップ設計を示しており、さまざまな型式があります。Si NチャンネルMOSFETは、低ドレイン-ソース間ON抵抗および高速逆回復時間が特徴です。これらのMOSFETは、ゲートスイッチングを簡単に制御できます。TK16x60W MOSFETは、さまざまな寸法でご用意があり、DFN8x8、TO-247、TO-3P(N)、D2PAK、TO-220、TO-220SISの各パッケージに収められています。これらのTK16x60W Si NチャンネルMOSFETは、スイッチング電圧レギュレータに使用されます。

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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