TK18A30D,S5X

Toshiba
757-TK18A30DS5X
TK18A30D,S5X

メーカ:

詳細:
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

ECADモデル:
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在庫: 107

在庫:
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工場リードタイム:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥400 ¥400
¥196.8 ¥1,968
¥182.4 ¥18,240
¥138.6 ¥69,300
¥118.4 ¥118,400
¥115.7 ¥578,500

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
300 V
18 A
139 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
60 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MOSVII
Tube
ブランド: Toshiba
構成: Single
下降時間: 55 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 70 ns
シリーズ: TK18A30D
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 345 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 115 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFET

Toshiba π-MOS VII MOSFETは、10VゲートドライブのシングルNチャンネルデバイスで、π-MOSテクノロジーとプレーナプロセスが組み合わされており、電圧とRDS(ON)定格の広い選択肢を実現しています。これらの高電圧MOSFETは、250V~最高650Vまでのドレイン-ソース間電圧範囲で販売されており、2A~20Aまでのドレイン電流範囲が備わっています。π-MOS VII MOSFETは、TO-220-3およびTO-252スルーホール・パッケージで販売されており、コンパクトなDPAK-3およびPWモールド-3表面実装パッケージに収められています。