TK4P60D,RQ

Toshiba
757-TK4P60DRQ
TK4P60D,RQ

メーカ：

詳細：
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 1,754

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16 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥195.2 ¥195
¥129.8 ¥1,298
¥85.9 ¥8,590
¥72.5 ¥36,250
完全リール（2000の倍数で注文）
¥59.8 ¥119,600
¥57.9 ¥231,600
¥57.6 ¥576,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
1.7 Ohms
- 30 V, 30 V
2.4 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
100 W
Enhancement
MOSVII
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Toshiba
構成: Single
下降時間: 8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 0.7 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 18 ns
シリーズ: TK4P60D
工場パックの数量: 2000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 55 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 40 ns
単位重量: 360 mg
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFET

Toshiba π-MOS VII MOSFETは、10VゲートドライブのシングルNチャンネルデバイスで、π-MOSテクノロジーとプレーナプロセスが組み合わされており、電圧とRDS(ON)定格の広い選択肢を実現しています。これらの高電圧MOSFETは、250V～最高650Vまでのドレイン-ソース間電圧範囲で販売されており、2A～20Aまでのドレイン電流範囲が備わっています。π-MOS VII MOSFETは、TO-220-3およびTO-252スルーホール・パッケージで販売されており、コンパクトなDPAK-3およびPWモールド-3表面実装パッケージに収められています。

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