TK7E80W,S1X

Toshiba
757-TK7E80WS1X
TK7E80W,S1X

メーカ：

詳細：
MOSFET N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W

データシート:
ECADモデル:
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在庫状況

在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
20 週間 工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥699.2 ¥699
¥360 ¥3,600
¥320 ¥32,000
¥268.8 ¥134,400
¥254.4 ¥254,400

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6.5 A
795 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
ブランド: Toshiba
構成: Single
下降時間: 8 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 18 ns
シリーズ: TK7E80W
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 70 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 45 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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