TK8Q60W,S1VQ

Toshiba
757-TK8Q60WS1VQ
TK8Q60W,S1VQ

メーカ：

詳細：
MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC

データシート:
ECADモデル:
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在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
20 週間 工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥548.8 ¥549
¥280 ¥2,800
¥252.8 ¥18,960
¥217.6 ¥114,240
¥198.4 ¥208,320
10,050 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
600 V
8 A
420 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
18.5 nC
- 55 C
+ 150 C
80 W
DTMOSIV
Tube
ブランド: Toshiba
構成: Single
下降時間: 5.5 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 20 ns
シリーズ: TK8Q60W
工場パックの数量: 75
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 70 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 40 ns
単位重量: 340 mg
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選択した属性: 0

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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