TK9R6E15Q5,S1X

Toshiba
757-TK9R6E15Q5S1X
TK9R6E15Q5,S1X

メーカ：

詳細：
MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH

ライフサイクル:
新製品:
このメーカーの新製品
データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Toshiba TK9R6E15Q5,S1Xの詳細を読む

在庫: 306

在庫：
306 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
14 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥660.8 ¥661
¥372.8 ¥3,728
¥310.4 ¥31,040
¥297.6 ¥148,800
¥292.8 ¥292,800

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
52 A
9.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
50 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Tube
ブランド: Toshiba
構成: Single
下降時間: 40 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 48 ns
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 74 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 76 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TKx シリコンNチャンネルMOSFET

東芝 (Toshiba) TKx シリコンNチャンネルMOSFETには、U-MOSX-HとDTMOSVIタイプがあり、卓越した性能特性を備えています。逆回復時間を短くし、ターンオフ状態とターンオン状態の間の遅延を低減し、高速スイッチングアプリケーションの効率を向上しました。ドレイン・ソース間のオン抵抗[RDS（on）]が低いため、電力損失を最小限に抑え、熱管理を改善することができ、大電流を低エネルギー消散で処理する必要があるアプリケーションに最適です。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。