TK9R7A15Q5,S4X

Toshiba
757-TK9R7A15Q5S4X
TK9R7A15Q5,S4X

メーカ:

詳細:
MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH

ライフサイクル:
新製品:
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ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥630.4 ¥630
¥358.4 ¥3,584
¥299.2 ¥29,920
¥289.6 ¥144,800
¥284.8 ¥284,800
¥278.4 ¥696,000

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220SIS-3
N-Channel
1 Channel
150 V
49 A
9.7 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
50 nC
- 55 C
+ 175 C
45 W
Enhancement
Tube
ブランド: Toshiba
構成: Single
下降時間: 36 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 42 ns
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 68 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 69 ns
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TKx シリコンNチャンネルMOSFET

東芝 (Toshiba) TKx シリコンNチャンネルMOSFETには、U-MOSX-HとDTMOSVIタイプがあり、卓越した性能特性を備えています。逆回復時間を短くし、ターンオフ状態とターンオン状態の間の遅延を低減し、高速スイッチングアプリケーションの効率を向上しました。ドレイン・ソース間のオン抵抗[RDS(on)]が低いため、電力損失を最小限に抑え、熱管理を改善することができ、大電流を低エネルギー消散で処理する必要があるアプリケーションに最適です。