SIC660CD-T1-GE3

Vishay
78-SIC660CD-T1-GE3
SIC660CD-T1-GE3

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ 60A POWER STAGE

ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥761.6 ¥762
¥505.6 ¥5,056
¥467.2 ¥11,680
¥406.4 ¥40,640
¥385.6 ¥96,400
¥345.6 ¥172,800
¥326.4 ¥326,400
¥278.4 ¥835,200
¥268.8 ¥1,612,800

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Driver ICs - Various
Low-Side
SMD/SMT
MLP55-31L
1 Driver
1 Output
60 A
2.5 V
16 V
- 40 C
+ 125 C
SIC
ブランド: Vishay
入力電圧－最大: 16 V
入力電圧－最小: 2.5 V
製品タイプ: Gate Drivers
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: SiC
トレードネーム: PowerPAK
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選択した属性: 0

PCN

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

SiC660 60A VRPower®統合電力段

Vishay Semiconductors SiC660 60A VRPower®統合電力段は、同期バックアプリケーション用に設計された高周波統合電力段です。Vishay Semiconductors SiC660は、最小限のシャットダウン電流で高電流、効率性、電力密度を実現しています。Vishayのコンパクトな5mm x 5mm MLPパッケージに格納されており、位相あたり最大60Aの連続電流を供給する電圧レギュレータに対応しています。Vishayの高度なTrenchFET® 技術で構築された内部パワーMOSFETは、業界をリードする性能のためのスイッチング損失と導通損失を最小限に抑えます。

光絶縁型MOSFETドライバ

ビシェイ (Vishay)光絶縁型MOSFETドライバは、低電圧MOSFETのゲート駆動に必要な電圧を実現しています。ゲート電圧は太陽光発電セルによって生成され、出力側に電源は不要です。これによって、低電圧MOSFETを使用する際の設計が簡素化されます。シングルチャンネルVOM1271Tは、わずか10mAの入力順方向電流で8.4Vの出力電圧を実現しています。デュアルチャンネルVO1263AACTRは、14.5Vの出力電圧を実現しています。

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