FFSB1065B-F085

onsemi
863-FFSB1065B-F085
FFSB1065B-F085

メーカ:

詳細:
SIC SCHOTTKYダイオード 650V 10A SIC SBD G EN1.5

ECADモデル:
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在庫: 1,443

在庫:
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工場リードタイム:
8 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(800の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥676.8 ¥677
¥476.8 ¥4,768
¥334.4 ¥33,440
¥297.6 ¥148,800
完全リール(800の倍数で注文)
¥254.4 ¥203,520
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-2
Single
10 A
650 V
1.38 V
45 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSB1065B-F085
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: onsemi
Pd - 電力損失: 79 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
トレードネーム: EliteSiC
Vr - 逆電圧(Reverse Voltage): 650 V
単位重量: 1.485 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

ワイドバンドギャップSiCデバイス

onsemiワイドバンドギャップ(WBG)シリコンカーバイドには、まったく新しいテクノロジが組み込まれており、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。システムのメリットとして、最高クラスの効率性、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。onsemiのSiCポートフォリオには、650Vおよび1200Vダイオード、650Vおよび1200V IGBTとSiCダイオードパワー統合モジュール(PIM)、1200V MOSFETとSiC MOSFETドライバが搭載されており、AEC-Q100の認定を受けています。

D2 EliteSiCダイオード

onsemi D2 EliteSiC ダイオードは、650Vの定格電圧を必要とする用途向けに設計された高性能ダイオードです。onsemi D2 には、DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2、TO-247-3など、さまざまなパッケージがあります。これらのダイオードには、低容量電荷 (QC) が備わっており、低順方向電圧の高速スイッチング用に最適化されています。これらの機能によってこのダイオードは力率補正(PFC)および出力整流アプリケーションに最適です。

650V SiCショットキーダイオード

onsemi 650Vシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットとして、高い効率性、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、システムサイズとコストの削減があります。

エネルギーストレージソリューション

Onsemi のエネルギー貯蔵システム(ESS)は、石炭、原子力、風力、太陽光などのさまざまな電力源から電気を蓄え、バッテリ(電気化学的)、圧縮空気(機械的)、溶融塩(熱エネルギー)など、異なる形態で保存します。このソリューションは、ソーラー・インバータ・システムに接続されたバッテリー蓄電システムに焦点を当てています。