NGTB40N120FL3WG

onsemi
863-NGTB40N120FL3WG
NGTB40N120FL3WG

メーカ:

詳細:
IGBT IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A

ECADモデル:
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工場リードタイム:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,060.8 ¥1,061
¥608 ¥6,080
¥433.6 ¥52,032
¥427.2 ¥256,320

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
- 20 V, 20 V
80 A
454 W
- 55 C
+ 175 C
NGTB40N120FL3
Tube
ブランド: onsemi
ゲート - エミッタ リーク電流: 200 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 4.083 g
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NGTB25N/NGTB40N絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

onsemi NGTB25N/NGTB40絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、堅牢で費用対効果が高い超フィールドストップトレンチ構造が特徴です。低切替損失および超高速回復ダイオードによって、高周波数ソーラー、UPS、インバータ溶接機アプリケーションに理想的です。これらのデバイスに組み込まれてる機能は、低順方向電圧が備わったソフトで速い同梱還流ダイオードです。
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