GS61008P-E05-MR

499-GS61008P-E05-MR
GS61008P-E05-MR

メーカ：

詳細：
GaN FET No longer available. Order GS61008P-MR

ライフサイクル:
製造中止
データシート:
ECADモデル:
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在庫状況

在庫：

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: GaN FET
配送制限
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RoHS:  
SMD/SMT
GaNPX-4
N-Channel
1 Channel
100 V
90 A
9.5 mOhms
- 10 V, + 7 V
1.7 V
8 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品: MOSFETs
製品タイプ: GaN FETs
シリーズ: GS6100x
工場パックの数量: 250
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: E-HEMT Power Transistor
単位重量: 4.675 g
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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