NTHL041N60S5H

onsemi
863-NTHL041N60S5H
NTHL041N60S5H

メーカ：

詳細：
MOSFET SUPERFET5 FAST 41MOHM T

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
onsemi NTHL041N60S5Hの詳細を読む

在庫: 527

在庫：
527 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
18 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,556.8 ¥1,557
¥1,113.6 ¥11,136
¥985.6 ¥98,560
¥979.2 ¥440,640

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
57 A
41 mOhms
- 30 V, 30 V
4.3 V
108 nC
- 55 C
+ 150 C
329 W
Enhancement
Tube
ブランド: onsemi
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: NTHL041N60S5H
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: Transistors
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

PCN

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SuperFET® V MOSFET

onsemi SuperFET® V MOSFETは、第5世代の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFETです。これらのデバイスは、当該クラスで最高レベルのメリット指数 (FoM) (RDS(ON)·QG およびRDS(ON)·EOSS) を実現しており、重負荷だけでなく軽負荷の効率性も向上できます。600V SuperFET V MOSFETは、導通損失とスイッチング損失の両方の低減によって設計上の利点を提供すると共に、極めて高い120V/nsのMOSFET dVDS/dtをサポートします。SuperFET V MOSFET高速シリーズは、システム効率性および電力密度の最大化に貢献します。SuperFET V MOSFET Easy Driveシリーズには、優れたスイッチング性能が組み合わされており、ハードおよびソフト両方のスイッチングトポロジの使いやすさも妥協していません。代表的なアプリケーションには、テレコミュニケーション、クラウドシステム、工業があります。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。