LM5101BMA

926-LM5101BMA
LM5101BMA

メーカ:

詳細:
ゲートドライバ 2A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Driver 8-SOIC -40 to 125

ライフサイクル:
製造中止
データシート:
ECADモデル:
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在庫状況

在庫:

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: ゲートドライバ
配送制限
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RoHS: N
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-Narrow-8
2 Driver
2 Output
2 A
9 V
14 V
570 ns
430 ns
- 40 C
+ 125 C
LM5101B
Tube
ブランド: Texas Instruments
特徴: Independent
論理タイプ: TTL
最長電源切断遅延時間: 4 ns
最長電源投入遅延時間: 4 ns
動作供給電流: 2 mA
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 26 ns
工場パックの数量: 95
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
単位重量: 143 mg
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選択した属性: 0

CNHTS:
8542319000
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

LM5101BMA 100V MOSFETドライバ

Texas Instruments LM5101BMA 100V MOSFETドライバは、同期バックまたはハーフブリッジ構成において、高圧側と低圧側の両方のNチャンネルMOSFETを駆動するように設計されています。フローティング高圧側ドライバは、最高100Vまでの供給電圧をともなって動作する能力があります。「A」バージョンは、完全3Aゲートドライブを実現しています。その一方、「B」および「C」バージョンは、それぞれ2Aと1Aを実現しています。出力はCMOS入力しきい値(LM5100A/B/C)またはTTL入力しきい値(LM5101A/B/C)で独立的に制御されています。統合高電圧ダイオードは、ハイサイド・ゲート・ドライブのブートストラップ・コンデンサへの充電用に内蔵されています。堅牢なレベル・シフタは、消費電力を抑えながら高速で動作し、制御ロジックからハイサイド・ゲート・ドライバへのクリーンなレベル遷移を実現します。