NVXK2VR80WXT2

Name: onsemi NVXK2VR80WXT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR80WXT2
Price: 10576 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NVXK2VR80WXT2

メーカ番号：

NVXK2VR80WXT2

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFETモジュール APM32 SIC POWER MODULE

ライフサイクル:

Mouser 初

データシート:

NVXK2VR80WXT2 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	APM-32
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	6 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	31 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	116 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.3 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	208 W
シリーズ:	NVXK2VR80WXT2
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
構成:	3-Phase Bridge
下降時間:	9 ns
高さ:	5.8 mm
長さ:	44.2 mm
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	12 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	Power Module
標準電源切断遅延時間:	21 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
幅:	29 mm

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データシート

NVXK2VR80WXT2 データシート

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2VR80WxT2シリコンカーバイド(SiC) モジュール

onsemi NVXK2VR80WxT2SiC（シリコンカーバイド）モジュールは、1,200V、80m Ω デュアル・インライン・パッケージ（DIP）に収められた3相ブリッジ・パワー・モジュールです。これらのSiCモジュールは、低総モジュール抵抗を備えるようにコンパクトに設計されています。NVXK2VR80WxT2パワーモジュールは、 AEC-Q101および AQG324により車載規格に適合しています。これらのパワーモジュールは無鉛でROHSに準拠しており、UL94V-0に準拠しています。NVXK2VR80WxT2 SiCモジュールの温度センシングと最低の熱抵抗によって、xEVアプリケーションでのPFCオンボード充電器に最適です。