Analog Devices Inc. SSM2212デュアルマッチNPNトランジスタ
Analog Devices SSM2212は、超低ノイズオーディオシステムの要件を満たすように特別に設計された、デュアルNPN-マッチのトランジスタペアを装備しています。その極めて低い入力ベース広がり抵抗（rbbの抵抗は標準28Ω）および高電流ゲイン（hFEは、IC = 1mAで標準的に600を超過）を備えたSSM2212は、顕著な信号-ノイズ比を達成できます。この高電流ゲインにより、市販のモノシリックアンプを内蔵しているシステムと比較して、結果的に卓越した性能をもたらします。約0.5%の電流ゲイン（ΔhFE）との優れたマッチングおよび標準10μV以下の低VOSにより、SSM2212は対称的にバランスのとれた設計に理想的であり、高オーダーアンプの高調波歪みを低減します。マッチングパラメータの安定性は、ベース-エミッタ接合部全体での保護ダイオードによって保証されます。これらのダイオードは、ベース - エミッタ接合の逆バイアスが原因の、ベータとマッチング特性の分解を防ぎます。SSM2212は、正確かつ信頼性の高い電流バイアスおよびミラー回路にも理想的な選択です。さらには、電流ミラーの精度がトランジスタペア間でのVBEのミスマッチを飛躍的に減少させるため、SSM2212の低VOSは、大半の回路アプリケーションでオフセットトリミングを必要としません。
Excellent matching of the current gain (ΔhFE) to approximately 0.5% and low VOS of less than 10μV typical make the SSM2212 ideal for symmetrically balanced designs, which reduce high order amplifier harmonic distortion. The stability of the matching parameters is guaranteed by protection diodes across the base-emitter junction. These diodes prevent degradation of beta and matching characteristics due to reverse biasing of the base-emitter junction.
The SSM2212 is also an ideal choice for accurate and reliable current biasing and mirroring circuits. Furthermore, because the accuracy of a current mirror degrades exponentially with mismatches of VBE between transistor pairs, the low VOS of the SSM2212 does not need offset trimming in most circuit applications.
特徴
- Very low voltage noise: 1nV/√Hz maximum at 100Hz
- Excellent current gain match: 0.5%
- Low offset voltage (VOS): 200μV maximum (SOIC)
- Outstanding offset voltage drift: 0.03μV/°C
- High gain-bandwidth product: 200MHz
Pin Connections
