18 bit 半導体

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
Texas Instruments FIFO 512 x 18 Synchronous FIFO Memory 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 160
複数: 160

Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 160
複数: 160

Renesas Electronics FIFO 256x18 3.3V SYNC FIFO 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 270
複数: 90

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 在庫なし
最低: 1
複数: 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 在庫なし
最低: 1
複数: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 在庫なし
最低: 1
複数: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 在庫なし
最低: 1
複数: 1

Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 50
複数: 1
いいえ
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 50
複数: 1
いいえ
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 104
複数: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 104
複数: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 104
複数: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 104
複数: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp 在庫なし
最低: 119
複数: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp 在庫なし
最低: 119
複数: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS 在庫なし
最低: 119
複数: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS 在庫なし
最低: 119
複数: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS 在庫なし
最低: 119
複数: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp 在庫なし
最低: 119
複数: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp 在庫なし
最低: 119
複数: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS 在庫なし
最低: 119
複数: 119