BFU550R

NXP Semiconductors
771-BFU550R
BFU550R

メーカ：

詳細：
RFバイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor

ライフサイクル:
製造中止:
メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。
データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥160 ¥160
¥99 ¥990
¥64.6 ¥6,460
¥49.8 ¥24,900
¥45.8 ¥45,800
完全リール（3000の倍数で注文）
¥37.9 ¥113,700
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
NXP
製品カテゴリー: RFバイポーラトランジスタ
RoHS:  
BFU550
Bipolar Wideband
Si
NPN
11 GHz
60
12 V
2 V
50 mA
- 40 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-143B-4
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: NXP Semiconductors
最大 DC コレクタ電流: 80 mA
出力電力: 13.5 dBm
Pd - 電力損失: 450 mW
製品タイプ: RF Bipolar Transistors
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
別の部品番号: 934067704215
単位重量: 9 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854121000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

BFU5x NPN 広帯域シリコン RF トランジスタ

NXPセミコンダクタ BFU5x NPN広帯域シリコンRFトランジスタはAEC-Q101規格を満たした低ノイズ、高いブレークダウンのRFトランジスタで、小型信号から最大2GHzの中程度の出力アプリケーションに適しています。優れた性能を発揮するBFU5x RFトランジスタは、20dBの最大ゲインおよび900MHzにおけるノイズ指数0.7dBを発生させます。これらのデバイスにより、低電力から中電力域で信号受信が向上し、RFレシーバがノイズ環境でより頑強に動作できます。（低ノイズ）アンプまたはオシレータとして使用する際、BFU5x RFトランジスタは高い供給電圧およびブレークダウン電圧に対応します。これらのデバイスは自動車、通信、および産業用途に最適です。製品ファミリーは、SOT323、SOT23、およびSOT143を含む産業標準パッケージを幅広くご用意しております。
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