BST70B2P4K01-VC

Name: ROHM Semiconductor BST70B2P4K01-VC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST70B2P4K01-VC
Price: 16387 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-BST70B2P4K01-VC

メーカ番号：

BST70B2P4K01-VC

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFETモジュール 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

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ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
技術:	SiC
チャンネル数:	4 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	70 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	25 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.8 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	385 W
パッケージ化:	Bulk
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Quad
下降時間:	15 ns
製品:	Power Module
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	36 ns
工場パックの数量:	60
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	EcoSiC
標準電源切断遅延時間:	153 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	36 ns

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データシート

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Specification Sheets

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コンプライアンスコード

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

高密度SiCパワーモジュール

ROHM Semiconductor 高密度シリコンカーバイド (SiC) パワーモジュールは、車載および産業用アプリケーションでの高効率な電力変換をサポートするように設計されています。TRCDRIVEパック™、HSDIP20、DOT-247などの複数のパッケージ・プラットフォームがラインナップされており、それぞれ異なる電力等級やシステム要件に最適化されています。これらのパッケージは、SiC MOSFETをコンパクトなモジュール構造に統合し、ハイパワー密度、安定したスイッチング性能、効率的な熱管理を実現します。パッケージに応じて、2-in-1、4-in-1、6-in-1といった構成を利用可能で、広範な電力変換およびモータ駆動アプリケーションに柔軟性を与えます。