DIW065SIC080

Diotec Semiconductor
637-DIW065SIC080
DIW065SIC080

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
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在庫: 450

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,430.4 ¥2,430
¥1,899.2 ¥18,992
¥1,139.2 ¥136,704
¥1,128 ¥575,280
¥1,092.8 ¥1,114,656
2,520 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
Diotec Semiconductor
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
36 A
80 mOhms
- 5 V, + 18 V
4 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
175 W
Enhancement
DIW065SIC080
ブランド: Diotec Semiconductor
構成: Single
下降時間: 9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 3.5 S
製品: MOSFETs
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 13 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 20 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 10 ns
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

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