DMN2990UFZ-7B

Name: Diodes Incorporated DMN2990UFZ-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN2990UFZ-7B
Price: 76 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

621-DMN2990UFZ-7B

メーカ番号：

DMN2990UFZ-7B

メーカ：

Diodes Incorporated

詳細：

MOSFET 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF

データシート:

DMN2990UFZ-7B データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 12,256

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完全リール（10000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥76.8	¥77
	¥46.9	¥469
	¥29.8	¥2,980
	¥22.4	¥11,200
	¥17.9	¥17,900
	¥15.7	¥78,500
完全リール（10000の倍数で注文）
	¥14.7	¥147,000
	¥13.6	¥272,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diodes Incorporated
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	X2-DFN0606-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	250 mA
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	990 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	1 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	320 mW
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Diodes Incorporated
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	7.7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	180 mS
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	2.1 ns
シリーズ:	DMN2990
工場パックの数量:	10000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	22 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	3.5 ns
単位重量:	1 mg

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選択した属性: 0

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データシート

DMN2990UFZ-7B データシート (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

JPHTS:: 854121000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs

Diode Inc. DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (R_DS(ON)). They maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMN31D5UFZ and DMN2990UFZ are N-Channel enhancement mode MOSFETs and the DMP32D9UFZ is a P-Channel Enhancement Mode MOSFET.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.