FDMC2523P

Name: onsemi FDMC2523P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC2523P
Price: 280 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

512-FDMC2523P

メーカ番号：

FDMC2523P

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET -150V P-Channel QFET

データシート:

FDMC2523P データシート (PDF)

ECADモデル:

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完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥280	¥280
	¥214.4	¥2,144
	¥156.3	¥15,630
	¥128.3	¥64,150
	¥125	¥125,000
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥106.2	¥318,600
	¥103.4	¥620,400

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	Power-33-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	150 V
Id - 連続ドレイン電流:	3 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.5 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
Qg - ゲート電荷:	9 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	42 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	QFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	13 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	1.4 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	11 ns
シリーズ:	FDMC2523P
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	19 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
単位重量:	210 mg

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選択した属性: 0

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データシート

FDMC2523P データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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