FDMC86261P

Name: onsemi FDMC86261P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC86261P
Price: 473 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

512-FDMC86261P

メーカ番号：

FDMC86261P

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

データシート:

FDMC86261P データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	Power-33-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	150 V
Id - 連続ドレイン電流:	2.7 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	269 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	24 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	40 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	PowerTrench
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	20 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	10 ns
シリーズ:	FDMC86261P
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	33 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	20 ns
単位重量:	165.330 mg

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選択した属性: 0

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データシート

FDMC86261P データシート

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: タイ
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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詳細

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