FDMS86181

onsemi
512-FDMS86181
FDMS86181

メーカ：

詳細：
MOSFET 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥502.4 ¥502
¥292.8 ¥2,928
¥232 ¥23,200
¥216 ¥108,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥177.6 ¥532,800
24,000 見積り
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
1 Channel
100 V
124 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 6 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 116 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 9 ns
シリーズ: FDMS86181
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 25 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 17 ns
単位重量: 90 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

シールドゲートPowerTrench® MOSFET

onsemiシールドゲートPowerTrench® MOSFETは、シールドゲート技術を統合する高度PowerTrench®プロセスを使用して開発された、100V NチャンネルMV MOSFETです。 MOSFETは、優れたスイッチング性能と効率性を実現するために、オン状態抵抗（RDSON）および逆回復電荷（Qrr）を最小限に抑えます。 小型ゲート電荷（QG）、小型逆回復電荷（Qrr）、性能指数（FOM）によって、同期整流アプリケーション向けの確かな高速スイッチングを行います。 これらのデバイスには無電圧のオーバーシュートがほとんどなく、電圧リンギングを低減し、電源やモータドライブといった100V定格MOSFETを必要とするアプリケーションのEMIを低下させます。 さらにMOSFETの増大した電力密度によって、より広範なMOSFET軽減が可能になります。 これらのデバイスは100% UIL試験済で、MSL1の堅牢なパッケージ設計でご用意しています。
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