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IKW20N60T

Name: Infineon IKW20N60T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW20N60T
Price: 592 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IKW20N60T

メーカ番号：

IKW20N60T

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

IGBT LOW LOSS DuoPack 600V 20A

データシート:

IKW20N60T データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥219.2	¥263,040

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メーカ部品番号:

IKW20N60TFKSA1

梱包:

Tube

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メーカ：

Infineon Technologies

メーカ番号：

IKW20N60TFKSA1

詳細：

IGBT LOW LOSS DuoPack 600V 20A

現在のパーツと比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	600 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.5 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	41 A
Pd - 電力損失:	166 W
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	Trenchstop IGBT3
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
ゲート - エミッタリーク電流:	100 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	IGBTs
トレードネーム:	TRENCHSTOP
別の部品番号:	SP000054886 IKW2N6TXK IKW20N60TFKSA1
単位重量:	38 g

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.