IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies
726-PD048N06L3GATMA1
IPD048N06L3GATMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET IFX FET 60V

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2500の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥291.2 ¥291
¥190.4 ¥1,904
¥127.8 ¥12,780
¥101.3 ¥50,650
¥93.4 ¥93,400
完全リール（2500の倍数で注文）
¥80.8 ¥202,000
¥76.3 ¥381,500
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
4.8 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
下降時間: 12 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 125 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5 ns
シリーズ: XPD048N06
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 56 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 11 ns
別の部品番号: IPD048N06L3 G SP005559924
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 3 NチャネルMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 NチャンネルMOSFETは、低オン状態抵抗が特徴で、SuperSO8リードレス・パッケージに収められています。OptiMOS 3 MOSFETは、産業、コンシューマー、電気通信の各アプリケーションにおける電力密度を最大50%増加させます。OptiMOS™ 3は、SuperSO8およびShrink SuperSO8（S3O8）の各パッケージに収められた40V、60V、80V Nチャンネル MOSFETでご用意があります。標準トランジスタ外形（TO）パッケージと比較して、SuperSO8は電力密度が最大50%増加しています。

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