IPI086N10N3 G

Infineon Technologies
726-IPI086N10N3G
IPI086N10N3 G

メーカ：

詳細：
MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

データシート:
ECADモデル:
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合計 額
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¥176 ¥1,760
¥154.4 ¥15,440
¥121 ¥60,500
¥104 ¥104,000
¥99.7 ¥498,500
25,000 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
100 V
80 A
8.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.7 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
下降時間: 8 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 42 ns
シリーズ: OptiMOS 3
工場パックの数量: 500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 31 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 18 ns
別の部品番号: SP000683070 IPI86N1N3GXK IPI086N10N3GXKSA1
単位重量: 2.387 g
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

IRF540N/Z 高度な HEXFET® パワー MOSFET

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