IPW95R130PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW95R130PFD7XKS
IPW95R130PFD7XKSA1

メーカ：

詳細：
MOSFET HIGH POWER_NEW

データシート:
ECADモデル:
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¥-
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¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥836.8 ¥837
¥830.4 ¥8,304
¥510.4 ¥12,760
¥452.8 ¥45,280
¥425.6 ¥102,144
¥409.6 ¥196,608
5,040 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
36.5 A
130 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
141 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
下降時間: 3.6 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 14 ns
シリーズ: IPW95R130PFD7
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 118 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 25 ns
別の部品番号: IPW95R130PFD7 SP005547004
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETには、スーパー・ジャンクション（SJ）技術が採用されています。SJ技術は、最先端の使いやすさが備わったベストインクラスの性能が組み込まれているため、照明および工業SMPSアプリケーションに最適です。PFDJは、最低レベルの逆回復電荷（Qrr）が備わった共振トポロジでの使用が可能になる統合超高速ボディダイオードです。

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